UNDERFILL MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

본 발명은 넓은 실장 마진을 가능하게 하는 언더필재, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 에폭시 수지와, 산 무수물과, 아크릴 수지와, 유기 과산화물을 함유하고, 5℃/min 이상 50℃/min 이하의 승온 속도 조건으로 용융 점도를 측정했을 때의 최저 용융 점도 도달 온도가 100℃ 이상 150℃ 이하이고, 최저 용융 점도가 100㎩ㆍs 이상 5000㎩ㆍs 이하인 언더필재(20)를 사용한다. 상이한 승온 온도 조건으로 측정했을 때의 최저 용융 점도 도달 온도의 변화가 작기 때문에, 열 압착 시의 온도 프...

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Main Authors KOYAMA TAICHI, MORIYAMA HIRONOBU, SAITO TAKAYUKI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 01.04.2016
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Summary:본 발명은 넓은 실장 마진을 가능하게 하는 언더필재, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 에폭시 수지와, 산 무수물과, 아크릴 수지와, 유기 과산화물을 함유하고, 5℃/min 이상 50℃/min 이하의 승온 속도 조건으로 용융 점도를 측정했을 때의 최저 용융 점도 도달 온도가 100℃ 이상 150℃ 이하이고, 최저 용융 점도가 100㎩ㆍs 이상 5000㎩ㆍs 이하인 언더필재(20)를 사용한다. 상이한 승온 온도 조건으로 측정했을 때의 최저 용융 점도 도달 온도의 변화가 작기 때문에, 열 압착 시의 온도 프로파일을 엄밀하게 컨트롤하지 않아도, 보이드레스 실장 및 양호한 땜납 접합성을 실현할 수 있어, 넓은 실장 마진을 실현할 수 있다. An underfill material achieving a wide margin for mounting and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided. The underfill material contains an epoxy resin, an acid anhydride, an acrylic resin, and an organic peroxide, wherein a minimum melt viscosity attainment temperature and a minimum melt viscosity obtained when melt viscosity of the underfill material is measured under a temperature increase rate condition in a range of 5 to 50° C./min are in a range of 100° C. to 150° C. and in a range of 100 to 5000 Pa·s, respectively. Since variation in the minimum melt viscosity attainment temperature measured under different temperature increase conditions is small, voidless mounting and good solder bonding properties can be achieved without strict control on the temperature profile during thermocompression bonding, and a wide margin for mounting can be achieved.
Bibliography:Application Number: KR20167006150