METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM

본 발명의 과제는 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시키는 것이다. 실라잔 결합을 갖는 막이 형성되고, 막에 프리베이크가 실시되어 있는 기판을 처리 용기에 반입시키는 공정과, 기판에 프리베이크의 온도 이하의 제1 온도에서 산소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에, 상기 제1 온도보다도 높은 제2 온도에서 처리 가스를 공급하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 등을 제공한다. To improve the characteristics of a film formed on a substrate, a method of manufactu...

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Main Authors KAKUDA TORU, TATENO HIDETO, JODA TAKUYA, OKUNO MASAHISA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 29.03.2016
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Summary:본 발명의 과제는 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시키는 것이다. 실라잔 결합을 갖는 막이 형성되고, 막에 프리베이크가 실시되어 있는 기판을 처리 용기에 반입시키는 공정과, 기판에 프리베이크의 온도 이하의 제1 온도에서 산소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에, 상기 제1 온도보다도 높은 제2 온도에서 처리 가스를 공급하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 등을 제공한다. To improve the characteristics of a film formed on a substrate, a method of manufacturing a semiconductor device includes: loading a substrate into a processing container, the substrate being provided with a film having a silazane bond, the film being subjected to pre-baking; supplying oxygen-containing gas at a first temperature not higher than the temperature of the pre-baking; and supplying processing gas containing at least any one of steam and hydrogen peroxide at a second temperature higher than the first temperature.
Bibliography:Application Number: KR20167004681