SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING BACKSIDE DEPOSITION AND MITIGATING THICKNESS CHANGES AT SUBSTRATE EDGES

• Main Authors: SANGPLUNG SAANGRUT, VARADARAJAN SESHA, PASQUALE FRANK, SWAMINATHAN SHANKAR, MINSHALL TED, LAVOIE ADRIEN, SABRI MOHAMED, BARNETT CODY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A substrate processing system for depositing a film on a substrate includes a processing chamber defining a reaction volume and including a substrate support for supporting the substrate. A gas delivery system is configured to introduce process gas into the reaction volume of the processing chamber. A plasma generator is configured to selectively generate RF plasma in the reaction volume. A clamping system is configured to clamp the substrate to the substrate support during the deposition of the film. A backside purging system is configured to supply a reactant gas to a backside edge of the substrate to purge the backside edge during the deposition of the film. 기판 상에 막을 증착하기 위한 기판 프로세싱 시스템은 반응 체적부를 규정하고 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 가스 전달 시스템은 프로세싱 챔버의 반응 체적부 내로 프로세스 가스를 도입하도록 구성된다. 플라즈마 생성기는 반응 체적부 내에 rf 플라즈마를 선택적으로 생성하도록 구성된다. 클램핑 시스템은 막의 증착 동안 기판 지지부에 기판을 클램핑하도록 구성된다. 이면 퍼징 시스템은 막의 증착 동안 이면 에지를 퍼지하도록 기판의 이면 에지에 반응물질 가스를 공급하도록 구성된다.