HIGH-VOLTAGE FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING MULTIPLE IMPLANTED LAYERS

• Main Authors: PARTHASARATHY VIJAY, BANERJEE SUJIT
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

고-전압 전계-효과 트랜지스터를 제조하는 방법은, 반도체 기판에 바디 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 드레인 영역은 상기 바디 영역에 의해 상기 소스 영역으로부터 떨어져 있다. 상기 드레인 영역을 형성하는 단계는 : 상기 드레인 영역 위에 있는, 상기 반도체 기판의 표면상에 산화물 층을 형성하는 단계; 및 이온 빔들이 수직으로부터 오프셋된 각도로 상기 산화물 층에 충돌하도록 상기 반도체 기판을 기울이는 동안, 상기 산화물 층을 통과하는 다수의 이온 주입 작업들을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 다수의 이온 주입 작업들은 대응하는 다수의 분리된 주입층들을 상기 드레인 영역 내에 형성한다. 상기 주입층들 각각은 상기 드레인 영역 내에서 서로 다른 깊이에 형성된다.