SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

• Main Authors: SENGUPTA RWIK, RODDER MARK S
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device and a fabricating method thereof. The semiconductor device includes: a substrate; a continuous diffusion region placed on the substrate; a first gate structure placed on the continuous diffusion region; a second gate structure placed on the continuous diffusion region; an isolation gate structure which is placed between the first gate structure and the second gate structure to be in proximity to both the first and second gate structures; a first diffusion region of the continuous diffusion region, placed between the first gate structure and the isolation gate structure; a second diffusion region of the continuous diffusion region, placed between the second gate structure and the isolation gate structure; a conductive layer placed on the first and second diffusion regions; and an isolation gate contact which is placed on the isolation gate structure and electrically isolated from the first diffusion region. 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 연속 확산 영역(continuous diffusion region), 상기 연속 확산 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구조체, 상기 연속 확산 영역 상에 배치되는 제2 게이트 구조체, 상기 제1 및 제2 게이트 구조체 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 게이트 구조체 모두에 인접하도록 배치되는 분리 게이트 구조체(isolation gate structure), 상기 제1 게이트 구조체와 상기 분리 게이트 구조체 사이에 배치되는 상기 연속 확산 영역의 제1 확산 영역, 상기 제2 게이트 구조체와 상기 분리 게이트 구조체 사이에 배치되는 상기 연속 확산 영역의 제2 확산 영역, 상기 제1 및 제2 확산 영역 상에 배치되는 도전층(conductive layer), 및 상기 분리 게이트 구조체 상에 배치되고, 상기 제1 확산 영역과 전기적으로 절연되는 분리 게이트 컨택(isolation gate contact)을 포함한다.