TANTALUM OXIDE FILM REMOVAL METHOD, AND REMOVAL DEVICE

산화 탄탈막(10)이 존재하는 실리콘 기판(W)을 스핀 척(3)에 보지시키고, 스핀 척(3)과 함께 실리콘 기판(W)을 회전시키면서, 실리콘 기판(W)에 불화수소산과 유기산을 포함한 혼합 수용액을 공급한다. 이것에 의해 산화 탄탈막(10)에 불화수소산과 유기산을 포함한 혼합 수용액이 접촉해서 이러한 화학 반응에 의해 산화 탄탈막(10)이 제거된다....

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Main Authors DOBASHI KAZUYA, HAGIWARA AKIHITO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 04.03.2016
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:산화 탄탈막(10)이 존재하는 실리콘 기판(W)을 스핀 척(3)에 보지시키고, 스핀 척(3)과 함께 실리콘 기판(W)을 회전시키면서, 실리콘 기판(W)에 불화수소산과 유기산을 포함한 혼합 수용액을 공급한다. 이것에 의해 산화 탄탈막(10)에 불화수소산과 유기산을 포함한 혼합 수용액이 접촉해서 이러한 화학 반응에 의해 산화 탄탈막(10)이 제거된다.
Bibliography:Application Number: KR20167000390