SEMICONDUCTOR DEVICE

반도체 장치(100)는, 전극 패드(12)를 구비하는 반도체 칩(10)과, 전극 패드(12)에 전기적으로 접속된 와이어(30)를 구비한다. 와이어(30)는, Ag를 주성분으로 하여 Pd를 포함하는 제1 금속 재료에 의하여 구성되어 있다. 전극 패드(12)는, Al을 주성분으로 하는 제2 금속 재료에 의하여 구성되어 있다. 와이어(30)와 전극 패드(12)와의 접합부(40)에는, Ag, Al 및 Pd를 포함하는 합금층이 형성되어 있다. A semiconductor device (100) is provided with: a semico...

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Main Author ITOH SHINGO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 02.03.2016
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:반도체 장치(100)는, 전극 패드(12)를 구비하는 반도체 칩(10)과, 전극 패드(12)에 전기적으로 접속된 와이어(30)를 구비한다. 와이어(30)는, Ag를 주성분으로 하여 Pd를 포함하는 제1 금속 재료에 의하여 구성되어 있다. 전극 패드(12)는, Al을 주성분으로 하는 제2 금속 재료에 의하여 구성되어 있다. 와이어(30)와 전극 패드(12)와의 접합부(40)에는, Ag, Al 및 Pd를 포함하는 합금층이 형성되어 있다. A semiconductor device (100) is provided with: a semiconductor chip (10) that is provided with an electrode pad (12); and a wire (30) that is electrically connected to the electrode pad (12). The wire (30) is configured from a first metal material that is mainly composed of Ag and contains Pd. The electrode pad (12) is configured from a second metal material that is mainly composed of Al. An alloy layer that contains Ag, Al and Pd is formed on a joint part (40) of the wire (30) and the electrode pad (12).
Bibliography:Application Number: KR20167000689