DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자간에의 충전 지령인 전압 지령 VGEref를 생성하는 전압 지령 생성부(2), 전압 지령 VGEref와 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자 간 전압의 편차 전압 Verr를 산출하는 감산기(3), 편차 전압 Verr가 입력되어 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자에 흘리는 게이트 전류를 결정하는 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 산출하는 게이트 전류 제어기(4), 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 제한하는 게이트 전류 지령 제한기(19) 및, 게이트 전류 지령 제한기(1...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
26.02.2016
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Summary: | 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자간에의 충전 지령인 전압 지령 VGEref를 생성하는 전압 지령 생성부(2), 전압 지령 VGEref와 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자 간 전압의 편차 전압 Verr를 산출하는 감산기(3), 편차 전압 Verr가 입력되어 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자에 흘리는 게이트 전류를 결정하는 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 산출하는 게이트 전류 제어기(4), 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 제한하는 게이트 전류 지령 제한기(19) 및, 게이트 전류 지령 제한기(19)의 출력인 실게이트 전류 지령 전압 VIGout이 입력되어 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자에 게이트 전류를 공급하는 게이트 전류 공급기를 구비한다.
A drive circuit for a power semiconductor element includes: a voltage-command generation unit that generates a voltage command VGEref, which is a charge command between the gate and emitter terminals of a power semiconductor element; and a subtracter that calculates a deviation voltage Verr between the voltage command VGEref and the voltage between the gate and emitter terminals. The drive circuit also includes: a gate current controller that is input with the deviation voltage Verr and calculates a gate-current command voltage VIGref for determining the gate current that is caused to flow to the gate terminal of the power semiconductor element; a gate-current command limiter that limits the gate-current command voltage VIGref; and a gate-current supply device that is input with an actual gate-current command voltage VIGout and that supplies a gate current to the gate terminal of the power semiconductor element. |
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Bibliography: | Application Number: KR20167001369 |