METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING SUCH A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

• Main Authors: AMSTATT BENOIT, DAUDIN BRUNO JULES
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 적어도 하나의 반도체 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은, 적어도 하나의 반도체 실리콘 표면(111)을 포함하는 기판(110)을 제공하는 단계; 상기 반도체 실리콘 표면(111)의 적어도 하나의 부분과 접촉하는 비정질 실리콘 카바이드층(120)을 형성하는 단계; 상기 실리콘 카바이드층(120)과 접촉하는 상기 적어도 하나의 반도체 구조물을 형성하되, 상기 구조물이 접촉부로 불리며 갈륨을 포함하는 적어도 하나의 부분을 포함하며, 상기 적어도 하나의 부분이 상기 실리콘 카바이드층(120)의 표면과 접촉하는 상기 적어도 하나의 반도체 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 이러한 방법으로 형성된 구조물을 포함하는 성분(100)에 관한 것이다. A method for manufacturing at least one semiconductor structure, and a component including a structure formed with the method, the method including: providing a substrate including at least one semiconductor silicon surface; forming an amorphous silicon carbide layer in contact with at least one part of the semiconductor silicon surface; forming the at least one semiconductor structure in contact with the silicon carbide layer, the structure including at least one part, as a contact part, in contact with the surface of the silicon carbide layer, which includes gallium.