DISPLAYS WITH SILICON AND SEMICONDUCTING OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS

전자 디바이스는 기판 상에 디스플레이 픽셀들의 어레이를 갖는 디스플레이를 포함할 수 있다. 디스플레이 픽셀들은 유기 발광 다이오드 디스플레이 픽셀들 또는 액정 디스플레이의 디스플레이 픽셀들일 수 있다. 유기 발광 다이오드 디스플레이에서, 반도체성 산화물 박막 트랜지스터, 실리콘 박막 트랜지스터 및 커패시터 구조체들을 포함하는 하이브리드 박막 트랜지스터 구조체들이 형성될 수 있다. 커패시터 구조체들은 반도체성 산화물 박막 트랜지스터들과 중첩할 수 있다. 유기 발광 다이오드 디스플레이 픽셀들은 산화물 및 실리콘 트랜지스터들의 조합들을...

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Main Authors GUPTA VASUDHA, YU CHENG HO, TSAI TSUNG TING, PARK YOUNG BAE, LIN SHANG CHIH, KIM KYUNG WOOK, JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS, CHANG TING KUO, CHOI JAE WON, HUANG CHUN YAO, LIN CHIN WEI, CHEN YU CHENG, CHANG SHIH CHANG, HUNG MING CHIN, LEE SZU HSIEN, OSAWA HIROSHI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.02.2016
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Summary:전자 디바이스는 기판 상에 디스플레이 픽셀들의 어레이를 갖는 디스플레이를 포함할 수 있다. 디스플레이 픽셀들은 유기 발광 다이오드 디스플레이 픽셀들 또는 액정 디스플레이의 디스플레이 픽셀들일 수 있다. 유기 발광 다이오드 디스플레이에서, 반도체성 산화물 박막 트랜지스터, 실리콘 박막 트랜지스터 및 커패시터 구조체들을 포함하는 하이브리드 박막 트랜지스터 구조체들이 형성될 수 있다. 커패시터 구조체들은 반도체성 산화물 박막 트랜지스터들과 중첩할 수 있다. 유기 발광 다이오드 디스플레이 픽셀들은 산화물 및 실리콘 트랜지스터들의 조합들을 가질 수 있다. 액정 디스플레이에서, 디스플레이 구동 회로는 실리콘 박막 트랜지스터 회로를 포함할 수 있고, 디스플레이 픽셀들은 산화물 박막 트랜지스터들에 기초될 수 있다. 게이트 금속의 단일 층 또는 2개의 상이한 층들이 실리콘 트랜지스터 게이트 및 산화물 트랜지스터 게이트의 형성 시에 사용될 수 있다. 실리콘 트랜지스터는 플로팅 게이트 구조체와 중첩하는 게이트를 가질 수 있다. An electronic device may include a display having an array of display pixels on a substrate. The display pixels may be organic light-emitting diode display pixels or display pixels in a liquid crystal display. In an organic light-emitting diode display, hybrid thin-film transistor structures may be formed that include semiconducting oxide thin-film transistors, silicon thin-film transistors, and capacitor structures. The capacitor structures may overlap the semiconducting oxide thin-film transistors. Organic light-emitting diode display pixels may have combinations of oxide and silicon transistors. In a liquid crystal display, display driver circuitry may include silicon thin-film transistor circuitry and display pixels may be based on oxide thin-film transistors. A single layer or two different layers of gate metal may be used in forming silicon transistor gates and oxide transistor gates. A silicon transistor may have a gate that overlaps a floating gate structure.
Bibliography:Application Number: KR20167002395