METHOD FOR MONITORING THE OPERATIONAL STATE OF A SURFACE INSPECTION SYSTEM FOR DETECTING DEFECTS ON THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFERS

• Main Author: LAUBE FRANK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A method for monitoring an operational state of a surface inspection system for detecting defects on a surface of semiconductor wafers, comprises: a step of providing a reference semiconductor wafer having defects of a particular number, size, and density on an examination surface thereof; a step of conducting a reference inspection of the reference semiconductor wafer and at least one control inspection of the reference semiconductor wafer by the surface inspection system, the position and size of defects on the examination surface being measured; a step of identifying defects which are regarded as common defects of the reference inspection and of the control inspection due to their position; a step, for each common defect, of determining a size difference obtained from comparing its size from the reference inspection and from the control inspection; and a step of evaluating the operational state of the surface inspection system on the basis of the size differences. 반도체 웨이퍼들의 표면 상의 결함들을 검출하는 표면 검사 시스템의 작동 상태를 모니터링하는 방법은, 참조 반도체 웨이퍼의 검사 표면 상에 특정 개수, 크기, 및 밀도의 결함들을 갖는 참조 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계; 표면 검사 시스템을 이용하여, 참조 반도체 웨이퍼의 참조 검사 및 참조 반도체 웨이퍼의 적어도 하나의 제어 검사를 수행하는 단계 - 검사 표면 상의 결함들의 위치 및 크기가 측정됨 -; 결함들의 위치로 인해, 참조 검사 및 제어 검사의 공통 결함들로서 간주되는 결함들을 식별하는 단계; 각각의 공통 결함에 대하여, 참조 검사 및 제어 검사를 기반으로 결함의 크기의 비교로부터 획득되는 크기 차이를 결정하는 단계; 및 결정된 크기 차이들을 기반으로 표면 검사 시스템의 작동 상태를 평가하는 단계를 포함한다.