LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 발명은, 제1 기판 및 상기 제1 기판 상의 복수개의 반도체 적층 블록을 제공하는 단계로서, 상기 복수개의 반도체 적층 블록 각각은 제1 전기적 반도체층, 상기 제1 전기적 반도체층 상에 위치한 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치한 제2 전기적 반도체층을 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 두 개의 서로 인접한 반도체 적층 블록을 분리하며 폭이 10㎛ 미만인 분리 로드를 더 포함하는 단계; 및 상기 복수의 반도체 적층 블록 중의 제1 반도체 적층 블록과 상기 제1 기판을 분리하고, 상기 제1 기판 상에는 제2 반도체 적층 블록을...

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Main Authors HSU TZU CHIEH, HSU CHIA LIANG, LU CHIH CHIANG, CHANG CHUN HSIEN, CHIU HSIN CHIH, HUANG CHIEN FU, CHEN YI MING, CHAN YAO NING
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.02.2016
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Summary:본 발명은, 제1 기판 및 상기 제1 기판 상의 복수개의 반도체 적층 블록을 제공하는 단계로서, 상기 복수개의 반도체 적층 블록 각각은 제1 전기적 반도체층, 상기 제1 전기적 반도체층 상에 위치한 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치한 제2 전기적 반도체층을 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 두 개의 서로 인접한 반도체 적층 블록을 분리하며 폭이 10㎛ 미만인 분리 로드를 더 포함하는 단계; 및 상기 복수의 반도체 적층 블록 중의 제1 반도체 적층 블록과 상기 제1 기판을 분리하고, 상기 제1 기판 상에는 제2 반도체 적층 블록을 잔류시키는 제1 분리 단계의 실행 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법을 개시한다. The present disclosure provides a method of manufacturing a light-emitting device, which comprises providing a first substrate and a plurality of semiconductor stacked blocks comprising a first semiconductor stacked block and a second semiconductor stacked block on the first substrate, and each of the plurality semiconductor stacked blocks comprises a first conductive-type semiconductor layer, a light-emitting layer on the first conductive-type semiconductor layer, and a second conductive-type semiconductor layer on the light-emitting layer; conducting a separating step to separate the first semiconductor stacked block from the first substrate, and the second semiconductor stacked block remains on the first substrate; providing an element substrate comprising a patterned metal layer; and conducting a bonding step to bond and align the first semiconductor stacked block or the second semiconductor stacked block with the patterned metal layer.
Bibliography:Application Number: KR20167000018