FABRICATION OF CIGS THIN FILM FROM SE-DEFICIENT STACKED (IN,GA)SE/CU PRECURSORS

• Main Authors: SHIN, DONG HYEOP, JUNG, GWANG SUN, KWON, HYUK SANG, AHN, BYUNG TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for manufacturing a thin GIGS film and a solar cell including a thin CIGS film which is a light absorbing layer of a solar cell manufactured thereby. The present invention grows a thin CIGS film without external Se supply by using a (In, Ga)Se/Cu laminate precursor structure including Se so as to eliminate an adsorption problem with a substrate which occurs during a selenization process, form a CIGS light absorbing layer without a gap, and apply the process to manufacture a large area thin film solar cell with good reproducibility. 본 발명은 CIGS 박막 제조방법 및 이렇게 제조된 태양전지의 광흡수층인 CIGS 박막을 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 Se이 포함된 (In,Ga)Se/Cu 적층 전구체 구조를 이용하여 외부 Se 공급 없이 CIGS 박막을 성장시킴으로써, 셀렌화 공정에서 유발되는 기판과의 흡착 문제를 해결하고 공극 없이 CIGS 광흡수층을 형성할 수 있고, 이 공정을 적용함으로써 재현성이 우수한 대면적 박막 태양전지를 제조할 수 있다.