LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: JEONG, BYUNG HAK, MOON, JI HYUNG, PARK, BUM DOO, LEE, SANG YOUL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting element, disclosed in an embodiment, includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer placed under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer placed under the active layer; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; a mirror layer placed under the light emitting structure; a window semiconductor layer placed between the mirror layer and the light emitting structure; a reflecting layer placed under the mirror layer; a conductive contact layer placed between the reflecting layer and the window semiconductor layer and making contact with the window semiconductor layer; and a conductive support layer placed under the reflecting layer. The window semiconductor layer includes a carbon-doped phosphorus (P) semiconductor. The dopant concentration of the window semiconductor layer is higher than the dopant concentration of the second conductive semiconductor layer. The conductive contact layer contains a different material from the material of the mirror layer and has thinner thickness than the thickness of the window semiconductor layer. 실시 예에 개시된 발광 소자는, 제1 도전형반도체층, 상기 제1 도전형반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제1 도전형반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광 구조물 아래에 배치된 미러층; 상기 미러층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 윈도우 반도체층; 상기 미러층 아래에 배치된 반사층; 상기 반사층과 상기 윈도우 반도체층 사이에 배치되며 상기 윈도우 반도체층에 접촉된 전도성접촉층; 및 상기 반사층 아래에 배치된 전도성의 지지층을 포함하며, 상기 윈도우 반도체층은 카본이 도핑된 인(P)계 반도체를 포함하며, 상기 윈도우 반도체층은 상기 제2도전형 반도체층의도펀트 농도보다 높은 도펀트 농도를 갖고, 상기 전도성접촉층은 상기 미러층의 재질과 다른 재질을 포함하며, 상기 윈도우 반도체층의 두께보다 얇은 두께를 포함한다.