STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: LIN TZU KAI, JENG CHI CHERNG, JANGJIAN SHIU KO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a structure of a semiconductor device and a formation method thereof. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate and a fin structure over the semiconductor substrate. The semiconductor device also includes a gate stack covering a portion of the fin structure and an epitaxially grown source/drain structure over the fin structure and adjacent to the gate stack. The semiconductor device further includes a semiconductor protective layer over the epitaxially grown source/drain structure. The semiconductor protective layer has an atomic concentration of silicon greater than that of the epitaxially grown source/drain structure. 반도체 디바이스의 구조물 및 형성 방법이 제공된다. 반도체 디바이스는 반도체 기판 및 반도체 기판 위의 핀 구조물을 포함한다. 반도체 디바이스는 또한, 핀 구조물의 일부를 덮는 게이트 스택, 및 핀 게이트 스택에 인접한, 핀 구조물 위의 에피텍셜 성장된 소스/드레인 구조물을 포함한다. 반도체 디바이스는 에피텍셜 성장된 소스/드레인 구조물 위의 반도체 보호 층을 더 포함한다. 반도체 보호 층은 에피텍셜 성장된 소스/드레인 구조물의 실리콘 원자 농도보다 더 큰 실리콘 원자 농도를 갖는다.