CONTACT FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: EPLER JOHN E, GRILLOT PATRICK N, KRAMES MICHAEL R, ALDAZ RAFAEL I
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

AlGaInP 발광 장치가 얇은 플립 칩 장치로서 형성된다. 그 장치는 n-타입 영역(22)과 p-타입 영역(26)의 사이에 배치된 AlGaInP 발광 층(24)을 포함하는 반도체 구조를 포함한다. 상기 n- 및 p-타입 영역들에 전기적으로 연결된 n- 및 p-콘택트들(34, 32)이 양쪽 모두 상기 반도체 구조의 동일한 측면들에 형성된다. 상기 반도체 구조는 상기 콘택트들을 통해 마운트(40)에 연결된다. 상기 반도체 구조로부터 성장 기판이 제거되고 두꺼운 투명 기판이 생략되어, 상기 장치 내의 반도체 층들의 총 두께는 일부 실시예들에서는 15 ㎛보다 작고, 일부 실시예들에서는 10 ㎛보다 작다. 상기 반도체 구조의 상부 면은 텍스처링될 수 있다(textured). An AlGaInP light emitting device is formed as a thin, flip chip device. The device includes a semiconductor structure comprising an AlGaInP light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. N- and p-contacts electrically connected to the n- and p-type regions are both formed on the same side of the semiconductor structure. The semiconductor structure is connected to the mount via the contacts. The growth substrate is removed from the semiconductor structure and the thick transparent substrate is omitted, such that the total thickness of semiconductor layers in the device is less than 15 mum in some embodiments, less than 10 mum in some embodiments. The top side of the semiconductor structure may be textured.