NONVOLATILE MEMORY DEVICE

• Main Authors: KIM, BI O, KIM, CHAE HO, LIM, SEUNG HYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a nonvolatile memory device and a manufacturing method thereof. The structure of the nonvolatile memory device includes gates which are vertically stacked on a substrate, a vertical channel which is filled in a channel hole vertically penetrating the gates, and a memory layer which is provided on the inner sidewall of the channel hole and is vertically extended. The vertical channel includes a lower channel which is filled in the lower part of the channel hole and is electrically connected to the substrate, and an upper channel which is filled in the upper part of the channel hole and is bonded to the lower channel. The lower channel includes vertically stacked semiconductor layers. The oxidation speeds of the semiconductor layers are different. 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 비휘발성 메모리 소자의 구조는 기판 상에 수직 적층된 복수개의 게이트들, 상기 복수개의 게이트들을 수직 관통하는 채널홀에 채워진 수직 채널, 및 상기 채널홀의 내측벽상에 제공되어 수직하게 연장된 메모리막을 포함하고, 상기 수직 채널은 상기 채널홀의 하부에 채워져 상기 기판과 전기적으로 연결된 하부 채널 그리고 상기 채널홀의 상부에 채워져 상기 하부 채널과 접합된 상부 채널을 포함하고, 상기 하부 채널은 수직 적층된 복수개의 반도체막들을 포함하고, 상기 반도체막들의 산화속도가 상이할 수 있다.