DYNAMIC PARTIAL POWER DOWN OF MEMORY-SIDE CACHE IN A 2-LEVEL MEMORY HIERARCHY

멀티 레벨 메모리 계층구조 내의 메모리측 캐쉬(MSC)의 특정된 영역을 플러쉬하기 위한 시스템 및 방법이 설명된다. 예를 들어, 한 실시예에 따른 컴퓨터 시스템은: 비휘발성 시스템 메모리와 상기 비휘발성 시스템 메모리의 부분들을 캐슁하기 위한 휘발성 메모리측 캐쉬(MSC)로 구성된 메모리 서브시스템; 및 MSC의 특정된 영역과 연관된 비활성화 조건에 응답하여 MSC의 특정된 영역을 상기 비휘발성 시스템 메모리에 플러쉬하기 위한 플러쉬 엔진을 포함한다. A system and method are described for flushin...

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Main Authors ZIMMERMAN DAVID J, RAMANUJAN RAJ K, HINTON GLENN J
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 09.12.2015
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
PHYSICS
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Summary:멀티 레벨 메모리 계층구조 내의 메모리측 캐쉬(MSC)의 특정된 영역을 플러쉬하기 위한 시스템 및 방법이 설명된다. 예를 들어, 한 실시예에 따른 컴퓨터 시스템은: 비휘발성 시스템 메모리와 상기 비휘발성 시스템 메모리의 부분들을 캐슁하기 위한 휘발성 메모리측 캐쉬(MSC)로 구성된 메모리 서브시스템; 및 MSC의 특정된 영역과 연관된 비활성화 조건에 응답하여 MSC의 특정된 영역을 상기 비휘발성 시스템 메모리에 플러쉬하기 위한 플러쉬 엔진을 포함한다. A system and method are described for flushing a specified region of a memory side cache (MSC) within a multi-level memory hierarchy. For example, a computer system according to one embodiment comprises: a memory subsystem comprised of a non-volatile system memory and a volatile memory side cache (MSC) for caching portions of the non-volatile system memory; and a flush engine for flushing a specified region of the MSC to the non-volatile system memory in response to a deactivation condition associated with the specified region of the MSC.
Bibliography:Application Number: KR20157032928