HIGHLY ETCH-RESISTANT POLYMER BLOCK FOR USE IN BLOCK COPOLYMERS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY

• Main Authors: GUERRERO DOUGLAS, HOCKEY MARY ANN, XU KUI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS BASED THEREON; COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

지향성 자가-조립(DSA) 패턴화 기법을 위한 조성물을 제공한다. 블록 공중합체를 포함하는 DSA 조성물을 기판에 적용하고 이어서 자가-조립시켜 목적하는 패턴을 형성시키는 지향성 자가-조립 방법을 또한 제공한다. 상기 블록 공중합체는, 하나의 블록(예를 들어 폴리메틸메트아크릴레이트)이 에칭 중에 선택적으로 제거되도록, 상이한 에칭률을 갖는 적어도 2개의 블록을 포함한다. 보다 느린 에칭 블록(예를 들어 폴리스티렌)은 상기 블록의 에칭률을 더욱 느리게 하는 첨가제에 의해 개질되기 때문에, 보다 많은 상기 느린 에칭 블록이 뒤에 남아, 패턴을 하부층으로 충분히 전사시킨다. Compositions for directed self-assembly (DSA) patterning techniques are provided. Methods for directed self-assembly are also provided in which a DSA composition comprising a block copolymer is applied to a substrate and then self-assembled to form the desired pattern. The block copolymer includes at least two blocks of differing etch rates, so that one block (e.g., polymethylmethacrylate) is selectively removed during etching. Because the slower etching block (e.g., polystyrene) is modified with an additive to further slow the etch rate of that block, more of the slow etching block remains behind to fully transfer the pattern to underlying layers.