PROTECTED ELECTRODE STRUCTURES AND METHODS
전극 구조물 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 개시된 전극 구조물은, 제 1 릴리스 층을 제 1 캐리어 기판 위에 침착함으로써 제조될 수도 있다. 제 1 보호 층은 제 1 릴리스 층 위의 표면에 침착될 수도 있고, 그다음 제 1 전기활성 물질 층은 제 1 보호 층 위에 침착될 수도 있다. An electrode structure and its method of manufacture are disclosed. The disclosed electrode structures may be manufactured by depositing...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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25.11.2015
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Summary: | 전극 구조물 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 개시된 전극 구조물은, 제 1 릴리스 층을 제 1 캐리어 기판 위에 침착함으로써 제조될 수도 있다. 제 1 보호 층은 제 1 릴리스 층 위의 표면에 침착될 수도 있고, 그다음 제 1 전기활성 물질 층은 제 1 보호 층 위에 침착될 수도 있다.
An electrode structure and its method of manufacture are disclosed. The disclosed electrode structures may be manufactured by depositing a first release layer on a first carrier substrate. A first protective layer may be deposited on a surface of the first release layer and a first electroactive material layer may then be deposited on the first protective layer. The first release layer may have a low mean peak to valley surface roughness, which may enable the formation of a thin protective layer with a low mean peak to valley surface roughness. |
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Bibliography: | Application Number: KR20157028783 |