SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

• Main Authors: TING CHIH YUAN, SHIEH JYU HORNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.11.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

One method comprises a step of forming a conductive feature unit on a dielectric layer on a substrate of a semiconductor device. After a hard mask layer and an etching stop layer below the hard mask layer are formed on the substrate, the hard mask layer and the etching stop layer below the hard mask layer are patterned. The patterned etching stop layer is disposed above the conductive feature unit. At least one among the patterned hard mask layer and the patterned etching stop layer is used as a masking element while a trench is etched on the dielectric layer adjacent to the conductive feature unit, and a cap is formed above the etched trench. The cap is disposed on the patterned etching stop layer disposed in the conductive feature unit. 일 방법은 반도체 장치의 기판상의 유전체 층에 전도성 특징부를 형성하는 단계를 포함한다. 기판상에 하드 마스크 층과 그 아래의 에칭 정지층이 형성된다. 하드 마스크 층과 그 아래의 에칭 정지층이 이후 패터닝된다. 패터닝된 에칭 정지층이 전도성 특징부의 위에 배치된다. 패터닝된 하드 마스크 층과 패터닝된 에칭 정지층 중 적어도 하나가 전도성 특징부에 인접한 유전체 층에 트렌치가 에칭되는 동안 마스킹 요소로서 사용된다. 이후 에칭된 트렌치의 위에 캡이 형성된다. 캡은 전도성 특징부에 배치된 패터닝된 에칭 정지층에 배치된다.