METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) ISOLATION SCHEMES WITH CONTINUOUS ACTIVE AREAS SEPARATED BY DUMMY GATES AND RELATED METHODS

• Main Authors: CHIDAMBARAM PR, YANG BIN, LI XIA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.11.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

상세한 설명에 개시된 실시예들은 더미게이트들에 의해 분리되는 연속 액티브 영역들을 이용한 MOS(metal oxide semiconductor) 절연 방식들을 포함한다. MOS 디바이스는 n-금속 또는 p-금속으로 설명되는 일함수를 갖는 물질로 형성되는 액티브 영역을 포함한다. 액티브 컴포넌트들은 유사한 일함수를 갖는 물질들을 이용하여 이 액티브 영역상에 형성된다. 액티브 컴포넌트들 사이에 더미 게이트를 포지셔닝함으로써 절연이 달성된다. 더미 게이트는 액티브 영역의 물질과 관련하여 상반되는 일함수를 갖는 물질로 만들어진다. 예를 들어, 액티브 영역이 p-금속 물질이었다면, 더미 게이트는 n-금속으로 만들어졌을 것이고, 액티브 영역이 n-금속 물질이었다면, 더미 게이트는 p-금속으로 만들어졌을 것이다 Embodiments disclosed in the detailed description include metal oxide semiconductor (MOS) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates. A MOS device includes an active area formed from a material with a work function that is described as either an n-metal or a p-metal. Active components are formed on this active area using materials having a similar work function. Isolation is effectuated by positioning a dummy gate between the active components. The dummy gate is made from a material having an opposite work function relative to the material of the active area. For example, if the active area was a p-metal material, the dummy gate would be made from an n-metal, and vice versa.