OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY, AND METHOD FOR TREATING SUCH AN OPTICAL ELEMENT

본 발명은 광학 요소(50)에 관한 것으로, 광학 요소는 기판(52), 기판(52)에 적용된 EUV 방사선 반사 다층 시스템(51) 및 다층 시스템(51)에 적용되면서 적어도 제1 및 제2 층(57, 58)을 갖는 보호층 시스템(60)을 포함하고, 제1 층(57)은 제2 층(58)보다 다층 시스템(51)에 더 근접하게 배열된다. 제1 층(57)은 수소를 위한 확산 배리어로서 기능하고, 제2 층(58)보다 낮은 수소에 대한 용해도를 가지며, 제2 층은 수소를 흡수하도록 기능한다. 본 발명은 또한 적어도 하나의 이런 광학 요소(50)를...

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Main Authors BEKMAN HERMANUS HENDRICUS PETRUS THEODORUS, EHM DIRK HEINRICH, KUZNETSOV ALEXEY, HUIJBREGTSE JEROEN, STORM ARNOLDUS JAN, AMENT IRENE, GRABER TINA, SMEETS DRIES, TE SLIGTE EDWIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 23.11.2015
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Summary:본 발명은 광학 요소(50)에 관한 것으로, 광학 요소는 기판(52), 기판(52)에 적용된 EUV 방사선 반사 다층 시스템(51) 및 다층 시스템(51)에 적용되면서 적어도 제1 및 제2 층(57, 58)을 갖는 보호층 시스템(60)을 포함하고, 제1 층(57)은 제2 층(58)보다 다층 시스템(51)에 더 근접하게 배열된다. 제1 층(57)은 수소를 위한 확산 배리어로서 기능하고, 제2 층(58)보다 낮은 수소에 대한 용해도를 가지며, 제2 층은 수소를 흡수하도록 기능한다. 본 발명은 또한 적어도 하나의 이런 광학 요소(50)를 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 광학 시스템, 다층 시스템(51)의 적어도 하나의 층(53, 54) 및/또는 보호층 시스템(60)의 적어도 하나의 층(57, 58, 59)에 통합된 수소를 제거하기 위해 광학 요소(50)를 처리하기 위한 방법에도 관련한다.
Bibliography:Application Number: KR20157028007