LIGHT EMITTING DEVICES HAVING LIGHT COUPLING LAYERS

• Main Authors: YAN LI, LIN CHAO KUN, CHUANG CHIH WEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.11.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

발광 소자는 n타입 반도체 재료의 제1 층, p타입 반도체 재료의 제2 층 및 제1 층과 제2 층 사이의 활성층을 포함한다. 광 커플링 층은 제1 층과 제2 층 중 하나에 인접하게 배치된다. 일부 경우에, 광 커플링 층은 발광 소자의 버퍼층을 러프닝함으로써 형성된다. 발광 소자는 광 커플링 층의 적어도 일부를 통해 제1 층과 제2 층 중 하나와 전기적으로 통하는 전극을 포함한다. A light emitting device comprises a first layer of an n-type semiconductor material, a second layer of a p-type semiconductor material, and an active layer between the first layer and the second layer. A light coupling layer is disposed adjacent to one of the first layer and the second layer. In some cases, the light coupling layer is formed by roughening a buffer layer of the light emitting device. The light emitting device includes an electrode in electrical communication with one of the first layer and the second layer through a portion of the light coupling layer.