METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

규칙적으로 배열되고 크기가 갖은 균일한 돌출부들을 갖는 매우 신뢰할 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법은; 반도체 구조층의 표면에 반도체 구조층의 결정축을 따라 동일한 간격으로 배열된 복수의 개구들을 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 마스크층에 있는 개구들로부터 노출된 반도체 구조층의 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 마스크층을 제거하는 단계; 및 복수의 개구들의 배열 형태에 따라 배열되고 반도체 구조층의 표면에 반도체 구조층의 결정구조로부터 도출된 복수의 돌출부들을 형...

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Main Authors SAITO TATSUMA, AKAGI TAKANOBU, MIYACHI MAMORU
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 16.11.2015
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Summary:규칙적으로 배열되고 크기가 갖은 균일한 돌출부들을 갖는 매우 신뢰할 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법은; 반도체 구조층의 표면에 반도체 구조층의 결정축을 따라 동일한 간격으로 배열된 복수의 개구들을 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 마스크층에 있는 개구들로부터 노출된 반도체 구조층의 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 마스크층을 제거하는 단계; 및 복수의 개구들의 배열 형태에 따라 배열되고 반도체 구조층의 표면에 반도체 구조층의 결정구조로부터 도출된 복수의 돌출부들을 형성하기 위해 상기 반도체 구조층의 표면을 습식에칭하는 단계를 포함한다. Provided are a highly reliable semiconductor light-emitting element having uniform protrusions that are arranged regularly and have the same size and a method of producing the same. The method of producing a semiconductor light-emitting element according to the present invention includes: forming a mask layer having a plurality of openings that are arranged at equal intervals along a crystal axis of a semiconductor structure layer on the surface of the semiconductor structure layer; performing a plasma treatment on the surface of the semiconductor structure layer exposed from the openings in the mask layer; removing the mask layer; and wet-etching the surface of the semiconductor structure layer to form protrusions on the surface of the semiconductor structure layer.
Bibliography:Application Number: KR20157025042