DOPING OF A SUBSTRATE VIA A DOPANT CONTAINING POLYMER FILM

• Main Authors: HEITSCH ANDREW T, POPERE BHOOSHAN C, SEGALMAN RACHEL A, TREFONAS III PETER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.11.2015
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; CHEMISTRY; COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES ORLACQUERS; CORRECTING FLUIDS; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FILLING PASTES; INKS; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS THEREFOR; WOODSTAINS

Disclosed in the present invention is a method for doping a substrate, comprising the steps of: arranging coating of a composition including a copolymer, a dopant precursor, and a solvent on a substrate; and diffusing a dopant on the substrate by annealing the substrate for 0.1 seconds to 24 hours at 750 to 1300°C, wherein the copolymer is available of phase separation in a solution and embedding of the dopant precursor. Disclosed is a semiconductor substrate comprising an embedded dopant domain having diameter of 3 to 30 nm, wherein the domain includes an atom in group 13 or group 15, and the embedded spherical domain is located within 30 nm from the surface of the substrate. 본원에 코폴리머, 도펀트 전구체 및 용매를 포함하는 조성물의 코팅을 기판상에 배치하는 단계; 및 상기 기판을 750 내지 1300oc의 온도에서 0.1 초 내지 24 시간동안 어닐링하여 도펀트를 기판으로 확산시키는 단계를 포함하며; 여기서 코폴리머는 용액중에 상 분리 및 도펀트 전구체를 포매하는(embedding) 것이 가능한, 기판의 도핑 방법이 개시된다. 직경 3 내지 30 nm의 포매된 도펀트 도메인을 포함하고; 여기서 도메인은 13족 또는 15족 원자를 포함하며, 포매된 구형 도메인은 기판 표면의 30 nm 내에 위치하는 반도체 기판이 또한 개시된다.