IN SITU METHOD FOR FORMING THERMALLY CONDUCTIVE THERMAL RADICAL CURE SILICONE COMPOSITION
열 전도성 열 라디칼 경화 실리콘 조성물을 형성하는 원 위치 방법이 제공된다. 원 위치 방법은, 분자당 평균 적어도 2개의 지방족 불포화 유기 기를 갖는 폴리오르가노실록산; 분자당 평균 4 내지 15개의 규소 원자를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및 분자당 적어도 1개의 지방족 불포화 유기 기 및 1개 이상의 경화성 기를 갖는 반응성 화학종의; 충전제 처리제, 열 전도성 충전제를 포함하는 충전제, 이성체 감소제, 및 하이드로실릴화 촉매의 존재 하에서의 반응의 반응 생성물을 포함하는 열 전도성 클러스터형 작용성 중합체를 형성하는...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
26.10.2015
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Summary: | 열 전도성 열 라디칼 경화 실리콘 조성물을 형성하는 원 위치 방법이 제공된다. 원 위치 방법은, 분자당 평균 적어도 2개의 지방족 불포화 유기 기를 갖는 폴리오르가노실록산; 분자당 평균 4 내지 15개의 규소 원자를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및 분자당 적어도 1개의 지방족 불포화 유기 기 및 1개 이상의 경화성 기를 갖는 반응성 화학종의; 충전제 처리제, 열 전도성 충전제를 포함하는 충전제, 이성체 감소제, 및 하이드로실릴화 촉매의 존재 하에서의 반응의 반응 생성물을 포함하는 열 전도성 클러스터형 작용성 중합체를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 열 전도성 클러스터형 작용성 중합체를 라디칼 개시제와 블렌딩하는 단계를 추가로 포함한다.
An in situ method for forming a thermally conductive thermal radical cure silicone composition is provided. The in situ method comprises forming a thermally conductive clustered functional polymer comprising the reaction product of a reaction of a polyorganosiloxane having an average, per molecule, of at least 2 aliphatically unsaturated organic groups; a polyorganohydrogensiloxane having an average of 4 to 15 silicon atoms per molecule; and a reactive species having, per molecule, at least 1 aliphatically unsaturated organic group and 1 or more curable groups; in the presence of a filler treating agent, a filler comprising a thermally conductive filler, an isomer reducing agent, and a hydrosilylation catalyst. The method further comprises blending the thermally conductive clustered functional polymer with a radical initiator. |
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Bibliography: | Application Number: KR20157024493 |