LED MODULE WITH HERMETIC SEAL OF WAVELENGTH CONVERSION MATERIAL

• Main Authors: MORAN BRENDAN JUDE, BUTTERWORTH MARK MELVIN, SHCHEKIN OLEG BORISOVICH, SHIMIZU KENTARO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

LED 모듈은 높은 열 전도율을 가지는 기판 및 기판 상에 마운팅된 적어도 하나의 LED 다이를 포함한다. 바인더 내의 인광체 또는 양자 점들과 같은 파장 변환 재료는 매우 낮은 열 전도율을 가지고, 비교적 큰 부피와 낮은 농도를 가지도록 LED 다이 상에 형성되고, 이에 의하여 인광체 또는 양자 점들은 열을 LED 다이로부터 적게 전도한다. 높은 열 전도율을 가지는 투명 상부 플레이트는 파장 변환 재료 위에 위치되고, 기밀 밀봉이 상부 플레이트와 파장 변환 재료를 둘러싸는 기판 사이에서 형성된다. LED 다이는 기판 또는 상부 플레이트의 캐비티 내에 위치된다. 이 방식에서, 파장 변환 재료의 온도는 LED 다이의 온도 미만으로 잘 유지된다. 밀봉은 웨이퍼 레벨 프로세스에서 수행된다. An LED module includes a substrate having a high thermal conductivity and at least one LED die mounted on the substrate. A wavelength conversion material, such as phosphor or quantum dots in a binder, has a very low thermal conductivity and is formed to have a relatively high volume and low concentration over the LED die so that the phosphor or quantum dots conduct little heat from the LED die. A transparent top plate, having a high thermal conductivity, is positioned over the wavelength conversion material, and a hermetic seal is formed between the top plate and the substrate surrounding the wavelength conversion material. The LED die is located in a cavity in either the substrate or the top plate. In this way, the temperature of the wavelength conversion material is kept well below the temperature of the LED die. The sealing is done in a wafer level process.