METHOD OF FABRICATING NITRIDE FILM

• Main Authors: CHO, BYUNG CHUL, JANG, JUN SEOK, LEE, KYUNG EUN, LA, DOO HYUN, RYU, DONG HO, PARK, JU HWAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for manufacturing a nitride film, capable of easily adjusting compression stress while the quality of a film is stably maintained by using an atomic layer deposition method. The method for manufacturing a nitride film by an atomic layer deposition method is to perform a unit cycle at least one time. The unit cycle includes a step of providing post-processing gas having nitrogen gas (N_2) onto a unit deposition film after the unit deposition film is formed in response to source gas adsorbed onto a substrate and response gas having a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H). 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 막질을 안정적으로 유지하면서 압축 응력을 용이하게 조절할 수 있는 질화막의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 흡착된 소스가스와 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스가 반응하여 단위증착막이 형성된 이후에, 상기 단위증착막 상에 질소가스(N)를 함유하는 후처리가스를 플라즈마 상태로 제공하는 단계를 포함하는 단위 사이클을 적어도 1회 이상 반복하여 수행하는 원자층 증착법에 의한 질화막의 제조방법에 관한 것이다.