LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME

• Main Author: JEONG, JONG PIL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.08.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first conductivity type semiconductor layer arranged on the substrate, an active layer arranged on the first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer arranged on the active layer, and a strain control layer arranged between the first conductivity type semiconductor layer and the active layer. The strain control layer may include a first strain control layer of InGaN/GaN and a second strain control layer of InGaN/GaN:Si. Defects generated on heterojunction interface can be removed by preparing a Si-doped layer on a strain control layer. 실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층과 활성층 사이에 배치된 스트레인 제어층;을 포함하고, 상기 스트레인 제어층은 InGaN/GaN으로 이루어진 제1 스트레인 제어층과 InGaN/GaN:Si로 이루어진 제2 스트레인 제어층을 포함할 수 있다. 실시예는 스트레인 제어층에 Si이 도핑된 층을 마련함으로써, 이종 접합 계면에서 발생될 수 있는 결함을 제거할 수 있는 효과가 있다.