APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

• Main Authors: LEE, HO YOUNG, MOON, JIN YOUNG, JOH, YONG SANG, PARK, SANG JUN, ROH, TAI WON, JANG, WOOK SANG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.08.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, which comprises: a chamber having an inner space in which a substrate is processed; a top lid for covering an upper opening portion of the chamber; a substrate support stand for supporting the substrate in the inner space of the chamber; and a gas injection unit including a first guide member which is arranged by penetrating the top lid in the vertical direction to inject gas onto the substrate, a second guide member which is installed in the outside of the first guide member and forms a first gas supply path between the second guide member and the first guide member, and a third guide member which is installed in the outside of the second guide member and forms a second gas supply path between the third guide member and the second guide member and a third gas supply path between the third guide member and the top lid. Each of the first, second, and third guide members includes: a vertical part which is arranged in the vertical direction through the top lid; and a horizontal part which is extended from a lower portion of the vertical part in the horizontal direction. A first flow path is formed between the horizontal part of the first guide member and the horizontal part of the second guide member, a second flow path is formed between the horizontal part of the second guide member and the horizontal part of the third guide member, and a third flow path is formed between the horizontal part of the third guide member and the top lid. At least one among the first, second, and third guide members is formed to be movable in the vertical direction, so process gas can be uniformly injected all over the substrate, thereby increasing the uniformity of a thin film deposited on the substrate. 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판이 처리되는 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부 개구를 덮는 탑리드; 상기 챔버의 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판상으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드를 상하방향으로 관통하며 배치되는 제1가이드 부재와, 상기 제1가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제1가이드 부재와의 사이에 제1가스공급유로를 형성하는 제2가이드 부재와, 상기 제2가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제2가이드 부재와의 사이에 제2가스공급유로를 형성하며 상기 탑리드와의 사이에 제3가스공급유로를 형성하는 제3 가이드 부재를 포함하는 가스분사부를 포함하며, 상기 제1가이드 부재, 제2가이드 부재 및 제3가이드 부재는 상기 탑리드를 관통하여 상하방향으로 배치되는 수직부와, 상기 수직부의 하부에서 수평방향으로 연장되는 수평부를 포함하고, 상기 제1가이드 부재의 수평부와 상기 제2가이드 부재의 수평부 사이에 제1유로가 형성되고, 상기 제2가이드 부재의 수평부와 제3가이드 부재의 수평부 사이에 제2유로가 형성되며, 상기 제3가이드 부재의 제3수평부와 상기 탑리드 사이에 제3유로가 형성되되, 상기 제1, 제2 및 제3가이드 부재 중 적어도 어느 하나가 상하 방향으로 이동 가능하도록 형성되어, 공정 가스를 기판 전체에 걸쳐 균일하게 분사시킬 수 있으므로 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.