EXPANSION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명의 실시형태는, 분할 예정 라인을 따라 개질부가 형성된 반도체 웨이퍼, 다이 본딩 필름, 및 다이싱 테이프를 가진 적층체를 준비하는 공정(I), 적층체가 냉각된 상태에서 다이싱 테이프를 신장하는 공정(IIA), 신장된 다이싱 테이프를 이완하는 공정(IIB), 및, 적층체가 냉각된 상태에서 다이싱 테이프를 신장하고, 반도체 웨이퍼 및 다이 본딩 필름을 분할 예정 라인을 따라 칩으로 분할하며, 칩의 간격을 넓히는 공정(IIC)을 가진 익스팬드 방법에 관한 것이다. An embodiment of the present inventi...

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Main Authors IWANAGA YUKIHIRO, SUZUMURA KOUJI, SAKUTA TATSUYA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 29.07.2015
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Summary:본 발명의 실시형태는, 분할 예정 라인을 따라 개질부가 형성된 반도체 웨이퍼, 다이 본딩 필름, 및 다이싱 테이프를 가진 적층체를 준비하는 공정(I), 적층체가 냉각된 상태에서 다이싱 테이프를 신장하는 공정(IIA), 신장된 다이싱 테이프를 이완하는 공정(IIB), 및, 적층체가 냉각된 상태에서 다이싱 테이프를 신장하고, 반도체 웨이퍼 및 다이 본딩 필름을 분할 예정 라인을 따라 칩으로 분할하며, 칩의 간격을 넓히는 공정(IIC)을 가진 익스팬드 방법에 관한 것이다. An embodiment of the present invention relates to an expansion method comprising: a step (I) of preparing a laminate having a semiconductor wafer in which modified sections have been formed along intended cutting lines, a die bonding film and a dicing tape, a step (IIA) of expanding the dicing tape with the laminate in a cooled state, a step (IIB) of loosening the expanded dicing tape, and a step (IIC) of expanding the dicing tape with the laminate in a cooled state, dividing the semiconductor wafer and the die bonding film into chips along the intended cutting lines, and widening the spaces between the chips.
Bibliography:Application Number: KR20157016202