SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KANG, SIN WOO, CHO, SUNG DONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.07.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The a semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; an interlayer insulation film formed on the semiconductor substrate; a gate structure formed in the interlayer insulation film; an element separation film formed in the semiconductor substrate; a through silicon via (TSV) penetrating the semiconductor substrate, the interlayer insulation film, and the element separation film; and a first impurity area of the first conductivity, which is in contact with the element separation film in the semiconductor substrate and surrounds a part of the side of the TSV. 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는, 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막, 상기 층간 절연막 내에 형성된 게이트 구조물, 상기 반도체 기판 내에 형성된 소자 분리막, 상기 반도체 기판, 상기 층간 절연막 및 상기 소자 분리막을 관통하여 형성된 관통 비아(TSV), 및 상기 반도체 기판 내에, 상기 소자 분리막과 접촉하고, 상기 관통 비아 측부의 일부만 둘러싸도록 형성된 제1 도전형의 제1 불순물 영역을 포함한다.