NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD THEREOF

• Main Authors: CHO, SEONG MOO, JANG, TAE HOON, KIM, JAE MOO, HWANG, EU JIN, KIM, JUN HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.07.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present specification provides a nitride semiconductor device and a method thereof. The nitride semiconductor device includes a SixNy layer and an AlGaN multilayer which changes the composition of Al according to a lamination direction to minimize the reduction of a threshold voltage and the increase of a leakage current generated in manufacturing the HFET device of a heterojunction structure. For this, a semiconductor device according to an embodiment includes a buffer layer; an AlGaN multilayer formed on the buffer layer; a GaN channel layer formed on the AlGaN multilayer; and an AlGaN barrier layer formed on the GaN channel layer. The Al composition of AlGaN multilayer can be changed according to the lamination direction of the AlGaN multilayer. 본 명세서는, 이종접합 구조의 HFET 소자를 제작하면서 발생하는 누설 전류 증가와 항복 전압 감소를 최소화하기 위해 적층 방향에 따라 Al의 조성이 변화하는 AlGaN 다중층 및 SiN층을 구비하는 질화물 반도체 전력 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성된 AlGaN 다중층; 상기 AlGaN 다중층 상에 형성된 GaN 채널층; 및 상기 GaN 채널층 상에 형성된 AlGaN 장벽층을 포함하되, 상기 AlGaN 다중층의 Al의 조성은, 상기 AlGaN 다중층의 적층 방향에 따라 변화하는 것일 수 있다.