LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: HWANG, SON KYO, PARK, BUM DOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.07.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting device according to an embodiment comprises a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer arranged under than first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer arranged under the active layer; a protective layer arranged on the light emitting structure, and including a bumping structure provided on an upper surface; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, wherein the upper surface of the first conductive semiconductor layer is flat, and thickness of the first conductive semiconductor layer is 1-1.5 micrometers. 실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치되며, 상부 면에 제공된 요철 구조를 포함하는 보호층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 상부면이 편평하게 제공되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 두께가 1 마이크로 미터 내지 1.5 마이크로 미터로 제공된다.