ARRAY SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD MANUFACTURING THE SAME
The present invention provides a thin film transistor. It includes a source electrode formed on the upper part of a substrate; a tape layer which is formed on the upper part of the source electrode and has first and second tape slope at both sides; a drain electrode formed on the upper part of the t...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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01.07.2015
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Summary: | The present invention provides a thin film transistor. It includes a source electrode formed on the upper part of a substrate; a tape layer which is formed on the upper part of the source electrode and has first and second tape slope at both sides; a drain electrode formed on the upper part of the tape layer; first and second active layer which are formed along each inclined surface of the first and second tape slope and connects the drain electrode and the source electrode; first and second gate insulating layer which is overlapped with the first and second active layer and covers the substrate; and first and second gate electrodes which are formed in the upper part of the first and second gate insulating layer.
본 발명은, 기판의 상부에 형성되는 소스 전극과; 상기 소스 전극의 상부에 형성되고, 양 측면에 제 1 및 제 2 테이프 슬로프가 형성된 테이퍼 레이어와; 상기 테이퍼 레이어의 상부에 형성되는 드레인 전극과; 상기 제 1 및 제 2 테이프 슬로프 각각의 경사면을 따라 형성되며, 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극을 연결하는 제 1 및 제 2 액티브 층과; 상기 제 1 및 제 2 액티브 층과 중첩하며 상기 기판을 덮도록 형성된 제 1 및 제 2 게이트 절연막과; 상기 제 1 및 제 2 게이트 절연막의 상부에 형성되는 제 1 및 제 2 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20130161520 |