LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

• Main Authors: LEE, SEOM GEUN, LEE, SO RA, SHIN, JIN CHEOL, HEO, MIN CHAN, JIN, SANG KI, KIM, JONG KYU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting diode chip is disclosed. The light emitting diode chip comprises: a circuit board including a predetermined pattern; a light emitting structure; an electrode including an electrode pad electrically connected to a second conductive semiconductor layer and an extension part extended from the electrode pad; a transparent electrode layer formed between the electrode and the second conductive semiconductor layer; an under structure which is interposed between the second conductive semiconductor layer and the transparent electrode layer and located under the electrode; a rotated accumulation structure to reflect light emitted from an activation layer; and an interface layer located between the circuit board and the rotated accumulation structure. The rotated accumulation structure includes a plurality of dielectric pairs including a second material layer having a low reflective ratio and a first material layer having a high reflective ratio. The dielectric pairs include: a plurality of first dielectric pairs formed of the first material layer having a lower optical thickness than λ/4 for a central waveform of a visible light area and a second material layer; at least two second dielectric pairs formed of the second material layer and the first material layer in which one of the first material layer and the second material layer has a lower optical thickness than λ/4 and one of the first material layer and the second material layer has a larger optical thickness than λ/4; and a plurality of third dielectric pairs formed of the first and the second material layer which have the optical thickness are larger than the λ/4. Each sublayer of the first to the third dielectric pairs is formed with the same material layer. 발광 다이오드 칩이 개시된다. 발광 다이오드 칩은, 상부에 소정의 패턴을 갖는 기판; 발광 구조체; 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하는 전극 패드 및 전극 패드로부터 연장된 연장부를 포함하는 전극; 전극과 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 투명 전극층; 제2 도전형 반도체층과 투명 전극층 사이에 개재되며, 전극의 하부에 위치하는 언더 구조체; 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 교대 적층 구조체; 및 기판과 교대 적층 구조체 사이에 위치하는 계면층을 포함하고, 교대 적층 구조체는 각각 고굴절률의 제1 재료층과 저굴절률의 제2 재료층을 포함하는 복수의 유전체 쌍들을 포함하고, 복수의 유전체 쌍들은, 가시광 영역의 중심 파장에 대해, 모두 λ/4보다 작은 광학 두께를 갖는 제1 재료층과 제2 재료층으로 이루어진 복수의 제1 유전체 쌍; 제1 재료층과 제2 재료층 중에서 하나는 λ/4보다 작은 광학 두께를 갖고 나머지 하나는 λ/4보다 큰 광학 두께를 갖는 제1 재료층과 제2 재료층으로 이루어진 적어도 두 개의 제2 유전체 쌍; 및 모두 λ/4보다 큰 광학 두께를 갖는 제1 재료층과 제2 재료층으로 이루어진 복수의 제3 유전체 쌍을 포함하고, 제1 내지 제3 유전체 쌍들 각각의 하부층들은 동일한 재료층으로 형성된다.