METHOD OF DETERMINING THERMAL STABILITY OF A SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY

• Main Authors: PAPE ERIC A, LEAL VERDUGO CARLOS, GAFF KEITH WILLIAM, WALDMANN OLE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of determining thermal stability on an upper surface of a substrate support assembly in a plasma processing apparatus has the substrate support assembly including an array of thermal control elements, has one or more thermal control element among thermal control elements forming an independently controllable heater area of the substrate support assembly, and has the array of thermal control elements operated to control spatial and time temperature. The method comprises a step of recording temperature data before a time decomposed process of the substrate support assembly before performing plasma processing process, while supplying power to the array of thermal control elements to achieve the desired spatial and time temperature of an upper surface of the substrate support assembly. The substrate or arrangement of substrates in the plasma processing apparatus are processed, while supplying power to the array of thermal control elements to achieve the desiring processing spatial and time temperature of the substrate support assembly, and temperature data after time decomposed process of the substrate support assembly is recorded after processing substrate or arrangement of substrates, wherein the temperature data after the process is recorded while supplying power to the array of the thermal control elements to achieve the desiring spatial and time temperature of the upper surface of the substrate support assembly. The temperature data after the process is compared with the temperature data before the process, and the temperature data after the process is determined to be in a desiring allowable range of the temperature data before the process. 플라즈마 프로세싱 장치 내에서 기판 지지부 어셈블리의 상부 표면의 열적 안정성을 결정하는 방법으로서, 기판 지지부 어셈블리는 열적 제어 엘리먼트들의 어레이를 포함하고, 열적 제어 엘리먼트들 중 하나 이상의 열적 제어 엘리먼트들은 기판 지지부 어셈블리의 독립적으로 제어가능한 히터 영역들을 형성하고, 열적 제어 엘리먼트들의 어레이는 기판 지지부 어셈블리의 상부 표면의 공간적 및 시간적 온도를 제어하도록 동작가능하고, 이 방법은, 기판 지지부 어셈블리의 상부 표면의 목표된 공간적 및 시간적 온도를 달성하기 위해 열적 제어 엘리먼트들의 어레이에 전력을 공급하는 동안, 플라즈마 프로세싱 프로세스를 수행하기 전에 기판 지지부 어셈블리의 시간 분해된 프로세스 전 온도 데이터를 레코딩하는 단계를 포함한다. 기판 지지부 어셈블리의 상부 표면의 목표된 프로세싱 공간적 및 시간적 온도를 달성하기 위해 열적 제어 엘리먼트들의 어레이에 전력을 공급하는 동안, 플라즈마 프로세싱 장치 내의 기판 또는 기판들의 배치가 프로세싱되고, 기판 또는 기판들의 배치를 프로세싱한 후에 기판 지지부 어셈블리의 시간 분해된 프로세스 후 온도 데이터를 레코딩되고, 여기서, 프로세스 후 온도 데이터는 기판 지지부 어셈블리의 상부 표면의 목표된 공간적 및 시간적 온도를 달성하기 위해 열적 제어 엘리먼트들의 어레이에 전력을 공급하는 동안 레코딩된다. 프로세스 후 온도 데이터는 프로세스 전 온도 데이터와 비교되고, 프로세스 후 온도 데이터는 프로세스 전 온도 데이터의 목표된 허용 범위 내에 있는지 결정된다.