SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: MIYATANI KOTARO, KUROTORI TAKUYA, ISHIZAKA TADAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of lowering the resistance of Cu wiring by using a low dielectric constant film with high strength. To achieve the purpose of the present invention, the method for manufacturing the semiconductor device comprises: a step of nitrogen plasma-treating a substrate having an interlayer insulator film consisting of a fluorine-doped carbon film, and having a concave part with a predetermined pattern on the surface; a step of directly forming a Ru film on the top of the fluorine-doped carbon film which is nitrogen plasma-treated; and a step of burying a Cu film to be Cu wiring inside the concave part. (과제) 강도가 높은 저유전율막을 이용하여, Cu 배선의 저저항화를 도모할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. (해결 수단) 표면에 소정 패턴의 오목부가 형성된, 불소 첨가 카본막으로 이루어지는 층간 절연막을 갖는 기판에 대하여, 질소 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 그 후, 질소 플라즈마 처리가 실시된 불소 첨가 카본막 위에 Ru막을 직접 형성하는 공정과, 상기 오목부 내에 Cu 배선이 되는 Cu막을 매립하는 공정을 갖는다.