PHOTOVOLTAIC DEVICES INCORPORATING THIN CHALCOGENIDE FILM ELECTRICALLY INTERPOSED BETWEEN PNICTIDE-CONTAINING ABSORBER LAYER AND EMITTER LAYER

• Main Authors: STEVENS JAMES C, BOSCO JEFFREY P, DEGROOT MARTY W, KIMBALL GREGORY M, FEIST REBEKAH K, ATWATER HARRY A
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 절연층이 하나 이상의 프닉타이드-함유 필름과 접속되어 있는, MIS 및 SIS 장치의 절연층의 품질을 개선시키기 위한 전략을 제공한다. 본 발명의 개념은 i-ZnS와 같은 칼코게나이드를 포함하는 매우 얇은 (20 nm 이하) 절연 필름이, 놀랍게도 프닉타이드 반도체를 포함하는 MIS 및 SIS 장치의 우수한 터널 배리어라는 발견에 적어도 부분적으로 기초한다. 하나의 실시양태에서, 본 발명은 하나 이상의 프닉타이드 반도체; 하나 이상의 칼코게나이드를 포함하고 0.5 nm 내지 20 nm 범위의 두께를 갖는, 상기 반도체 영역에 전기적으로 연결된 절연 영역; 및 상기 절연 영역이 집전체 영역과 반도체 영역 사이에 전기적으로 삽입되도록 하는 방식으로 상기 반도체 영역에 전기적으로 연결된 정류 영역을 포함하는 광기전력 장치에 관한 것이다. The present invention provides strategies for improving the quality of the insulating layer in MIS and SIS devices in which the insulator layer interfaces with at least one pnictide-containing film The principles of the present invention are based at least in part on the discovery that very thin (20 nm or less) insulating films comprising a chalcogenide such as i-ZnS are surprisingly superior tunnel barriers in MIS and SIS devices incorporating pnictide semiconductors. In one aspect, the present invention relates to a photovoltaic device, comprising: a semiconductor region comprising at least one pnictide semiconductor; an insulating region electrically coupled to the semiconductor region, wherein the insulating region comprises at least one chalcogenide and has a thickness in the range from 0.5 nm to 20 nm; and a rectifying region electrically coupled to the semiconductor region in a manner such that the insulating region is electrically interposed between the collector region and the semiconductor region.