SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

• Main Authors: HWANG, KI HYUN, KIM, CHAE HO, KIM, DONG WOO, JEE, JUNG GEUN, LEE, WOONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.06.2015
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention relates to a 3D semiconductor memory device and a manufacturing method thereof. Provided is the method for manufacturing the 3D semiconductor memory device which includes the steps of: forming a thin film structure by alternately and repetitively stacking insulation layers and sacrificial layers on a substrate; forming a channel structure which is connected to the substrate through the thin film structure; forming a trench passing through the thin film structure to be separated from the channel structure, wherein, the trench includes a recess region extended to the lower side of the trench; forming a semiconductor pattern which fills the recess region by performing a selective epitaxial growth process; and replacing the sacrificial layers exposed on the trench with gate patterns. 본 발명은 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 희생막들 및 절연막들을 번갈아 반복적으로 적층하여 박막 구조체를 형성하는 것, 상기 박막 구조체를 관통하여 상기 기판과 접속되는 채널 구조체를 형성하는 것, 상기 채널 구조체와 이격되어 상기 박막 구조체를 관통하는 트렌치를 형성하는 것, 상기 트렌치는 상기 트렌치 하부로 연장되는 리세스 영역을 포함하고, 선택적 에피택시얼 성장(selective epitaxial growth) 공정을 수행하여 상기 리세스 영역을 채우는 반도체 패턴을 형성하는 것 및 상기 트렌치에 노출된 상기 희생막들을 게이트 패턴들로 교체하는 것을 포함하는 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법을 제공한다.