METHOD AND APPARATUS FOR READING VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENTS
몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다. In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse ma...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
03.06.2015
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Abstract | 몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다.
In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse may be applied through a resistive memory data cell and another through a reference delay circuit to determine which path has the larger delay in order to determine the resistive state of the data cell in question. |
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AbstractList | 몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다.
In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse may be applied through a resistive memory data cell and another through a reference delay circuit to determine which path has the larger delay in order to determine the resistive state of the data cell in question. |
Author | AUGUST NATHANIEL J WEI LIQIONG |
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