METHOD AND APPARATUS FOR READING VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENTS
몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다. In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse ma...
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| Main Authors | , |
|---|---|
| Format | Patent |
| Language | English Korean |
| Published |
03.06.2015
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| Subjects | |
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| Abstract | 몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다.
In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse may be applied through a resistive memory data cell and another through a reference delay circuit to determine which path has the larger delay in order to determine the resistive state of the data cell in question. |
|---|---|
| AbstractList | 몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다.
In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse may be applied through a resistive memory data cell and another through a reference delay circuit to determine which path has the larger delay in order to determine the resistive state of the data cell in question. |
| Author | AUGUST NATHANIEL J WEI LIQIONG |
| Author_xml | – fullname: WEI LIQIONG – fullname: AUGUST NATHANIEL J |
| BookMark | eNrjYmDJy89L5WRw8XUN8fB3UXD0A-KAAMcgx5DQYAU3_yCFIFdHF08_d4UwxyBPRycfV6BAsGdwiKOfs6uCr6uvf1CkgquPq6-rX0gwDwNrWmJOcSovlOZmUHZzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2J9w4yMjA0NTAwM7AwMXI0Jk4VABxVLlA |
| ContentType | Patent |
| DBID | EVB |
| DatabaseName | esp@cenet |
| DatabaseTitleList | |
| Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
| DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
| Discipline | Medicine Chemistry Sciences Physics |
| DocumentTitleAlternate | 가변 저항 메모리 소자들을 판독하기 위한 방법 및 장치 |
| ExternalDocumentID | KR20150060842A |
| GroupedDBID | EVB |
| ID | FETCH-epo_espacenet_KR20150060842A3 |
| IEDL.DBID | EVB |
| IngestDate | Fri Jul 19 15:16:28 EDT 2024 |
| IsOpenAccess | true |
| IsPeerReviewed | false |
| IsScholarly | false |
| Language | English Korean |
| LinkModel | DirectLink |
| MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_KR20150060842A3 |
| Notes | Application Number: KR20157010403 |
| OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150603&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20150060842A |
| ParticipantIDs | epo_espacenet_KR20150060842A |
| PublicationCentury | 2000 |
| PublicationDate | 20150603 |
| PublicationDateYYYYMMDD | 2015-06-03 |
| PublicationDate_xml | – month: 06 year: 2015 text: 20150603 day: 03 |
| PublicationDecade | 2010 |
| PublicationYear | 2015 |
| RelatedCompanies | INTEL CORP |
| RelatedCompanies_xml | – name: INTEL CORP |
| Score | 2.9673367 |
| Snippet | 몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰... |
| SourceID | epo |
| SourceType | Open Access Repository |
| SubjectTerms | INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES |
| Title | METHOD AND APPARATUS FOR READING VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENTS |
| URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150603&DB=EPODOC&locale=&CC=KR&NR=20150060842A |
| hasFullText | 1 |
| inHoldings | 1 |
| isFullTextHit | |
| isPrint | |
| link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LTwIxEJ4gPm-KGh9ommj2tnGhyy4ciCm7RRD2kd2FwImwDxKjASJr_PtOKygnDj10Jpm0TabTr535CvA4xVMbTdGRZrFhqHqa1dRpUqFqbFZqpqaLUkdx3-G4Rmegv45qowJ8bGphJE_otyRHRI9K0N9zuV8v_y-xbJlbuXqK31C0eG5HTVtZo2NJl0cVu9Xkvmd7lmJZzV6guMGvDpV1vcr2YF8cpAXTPh-2RF3KcjuotE_hwEd78_wMCu-LEhxbm7_XSnDkrJ-8S3AoczSTFQrXfrg6B9vhUcezCXOx-T4LWDQICQI6EnBmd90XMmRBl7X6HAVhN4zEFzTE4Y4XjAnvSwb_8AIe2jyyOioObPK3DpNesD0LegnF-WKeXQGJTa2eUGOGYCTTE0RQtJGmmplqjQwRaDW9hvIuSze71bdwIroyP4qWoZh_fmV3GInz-F4u4A_IkoRH |
| link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76903 |
| linkProvider | European Patent Office |
| linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LT8JAEJ4gPvCmqPGB2kTTW2NhSwsHYpZ2sZW-0hYCJ0IfJEYDRGr8-05XUE4c9jKTTHYnmZ39ZucB8DjFVxtJ0ZBmsapKSpo1pWlSJ1Ks1ZuarBSljkW8w3FVc6C8jpqjEnxsamF4n9Bv3hwRLSpBe8_5fb38D2IZPLdy9RS_IWnx3Is6hrhGx7xdHhGNbof5nuHpoq53-oHoBr88ZLaUBt2DfQ1BIQdLw25Rl7Lcdiq9EzjwUd48P4XS-6IKFX0ze60KR876y7sKhzxHM1khcW2HqzMwHBaZniFQF5fv04BGg1BAQCcEjBqW-yIMaWDRrs2QEFphVIygERzmeMFYYDbv4B-ew0OPRbop4cYmf3qY9IPtU5ALKM8X8-wShFiTWwlRZwhGMiVBBEXaaSprqdzOEIE20iuo7ZJ0vZt9DxUzcuyJbbn9GzguWDxXitSgnH9-ZbfolfP4jivzBx0fhzE |
| openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=METHOD+AND+APPARATUS+FOR+READING+VARIABLE+RESISTANCE+MEMORY+ELEMENTS&rft.inventor=WEI+LIQIONG&rft.inventor=AUGUST+NATHANIEL+J&rft.date=2015-06-03&rft.externalDBID=A&rft.externalDocID=KR20150060842A |