METHOD AND APPARATUS FOR READING VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENTS

몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다. In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse ma...

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Main Authors WEI LIQIONG, AUGUST NATHANIEL J
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 03.06.2015
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:몇몇 실시예들에서, 저항성 메모리 셀에서의 저항을 검출하는 것은 펄스 에지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 문제의 데이터 셀의 저항성 상태를 결정하기 위해 저항성 메모리 데이터 셀을 통해 한 펄스를 인가하고 기준 지연 회로를 통해 다른 펄스를 인가하여 어느 경로가 더 큰 지연을 갖는지를 결정할 수 있다. In some embodiments, detecting resistance in a resistive memory cell may be done using a pulse edge. For example, a pulse may be applied through a resistive memory data cell and another through a reference delay circuit to determine which path has the larger delay in order to determine the resistive state of the data cell in question.
Bibliography:Application Number: KR20157010403