NANOPYRAMID SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

발명의 측면은 방법 및 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 발명은 질화물 반도체의 성장에 관한 것으로 다이오드, LED 및 트랜지스터와 같은 다수의 반도체 장치에 응용할 수 있다. 발명의 방법에 따라 질화물 반도체 나노피라미드는 CVD 기반의 선택적 영역 성장 기술을 이용하여 성장된다. 나노피라미드는 직접 혹은 코어-쉘 구조로서 성장된다. Aspects of the invention provide methods and devices. In one embodiment, the invention relates to the growing...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors VESCOVI GIULIANO PORTILHO, GARDNER NATHAN, KRYLIOUK OLGA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 26.05.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:발명의 측면은 방법 및 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 발명은 질화물 반도체의 성장에 관한 것으로 다이오드, LED 및 트랜지스터와 같은 다수의 반도체 장치에 응용할 수 있다. 발명의 방법에 따라 질화물 반도체 나노피라미드는 CVD 기반의 선택적 영역 성장 기술을 이용하여 성장된다. 나노피라미드는 직접 혹은 코어-쉘 구조로서 성장된다. Aspects of the invention provide methods and devices. In one embodiment, the invention relates to the growing of nitride semiconductors, applicable for a multitude of semiconductor devices such as diodes, LEDs and transistors. According to the method of the invention nitride semiconductor nanopyramids are grown utilizing a CVD based selective area growth technique. The nanopyramids are grown directly or as core-shell structures.
Bibliography:Application Number: KR20157007608