THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND FABRICATION METHOD THEREOF

• Main Authors: JANG, EUN JE, SON, OCK SOO, KIM, HYUN WUK, RO, SUNG IN, KANG, YOUNG GU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.05.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

Each pixel of a thin film transistor substrate comprises: a base substrate which defines a pixel area and a non-pixel area peripheral to the pixel area; a gate electrode arranged on the base substrate within the non-pixel area; a first insulating film arranged on the base substrate within the non-pixel area to cover the gate electrode; a semiconductor layer arranged on the first insulating film for a prescribed part to be overlapped with the gate electrode; a source electrode and a drain electrode separately arranged in the semiconductor area; a second insulating film arranged on the first insulating film and the base substrate to cover the source electrode and the drain electrode; and a pixel electrode arranged on the second insulating film within the pixel area. 박막 트랜지스터 기판의 화소들 각각은 화소 영역 및 상기 화소 영역 주변의 비화소 영역이 정의된 베이스 기판, 상기 비화소 영역에서 상기 베이스 기판상에 배치된 게이트 전극, 상기 비화소 영역에서 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 베이스 기판상에 배치된 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 배치되어 소정의 영역이 상기 게이트 전극과 오버랩되는 반도체층, 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 제1 절연막 및 상기 베이스 기판상에 배치된 제2 절연막, 및 상기 화소 영역에서 상기 제2 절연막 상에 배치된 화소 전극을 포함한다.