A GROUP III-V SUBSTRATE MATERIAL WITH PARTICULAR CRYSTALLOGRAPHIC FEATURES AND METHODS OF MAKING

본 발명은 반도체 기판을 형성하는 방법으로서, 반도체 물질을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계, 그리고 수소기상증착(HVPE, hydride vapor phase epitaxy)를 통해 13-15족 물질을 갖는 상기 베이스 기판 위에 놓인 제1 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 반도체 층은 N-면 배향(N-face orientation)을 갖는 상부면을 갖는 방법에 관한 것이다....

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Main Authors BEAUMONT BERNARD, FAURIE JEAN PIERRE
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 13.05.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명은 반도체 기판을 형성하는 방법으로서, 반도체 물질을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계, 그리고 수소기상증착(HVPE, hydride vapor phase epitaxy)를 통해 13-15족 물질을 갖는 상기 베이스 기판 위에 놓인 제1 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 반도체 층은 N-면 배향(N-face orientation)을 갖는 상부면을 갖는 방법에 관한 것이다.
Bibliography:Application Number: KR20157008699