FINFET CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
FinFET-호환가능 프로세스로 제조될 수 있는 커패시터들이 기재된다. 커패시터들은 기판 상에 형성되는 핀들(506, 508)을 포함하며, 여기서, 핀들은 커패시터 유전체 재료에 의해 서로 분리된다. 동일한 극성을 갖는 핀들은, 캡 접속부들(510, 512)에 의해 서로 접속된다. A capacitor includes a semiconductor substrate. The capacitor also includes a first terminal having a fin disposed on a surface of the semicon...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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13.05.2015
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Summary: | FinFET-호환가능 프로세스로 제조될 수 있는 커패시터들이 기재된다. 커패시터들은 기판 상에 형성되는 핀들(506, 508)을 포함하며, 여기서, 핀들은 커패시터 유전체 재료에 의해 서로 분리된다. 동일한 극성을 갖는 핀들은, 캡 접속부들(510, 512)에 의해 서로 접속된다.
A capacitor includes a semiconductor substrate. The capacitor also includes a first terminal having a fin disposed on a surface of the semiconductor substrate. The capacitor further includes a dielectric layer disposed onto the fin. The capacitor still further includes a second terminal having a FinFET compatible high-K metal gate disposed proximate and adjacent to the fin. |
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Bibliography: | Application Number: KR20157008565 |