FINFET CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

FinFET-호환가능 프로세스로 제조될 수 있는 커패시터들이 기재된다. 커패시터들은 기판 상에 형성되는 핀들(506, 508)을 포함하며, 여기서, 핀들은 커패시터 유전체 재료에 의해 서로 분리된다. 동일한 극성을 갖는 핀들은, 캡 접속부들(510, 512)에 의해 서로 접속된다. A capacitor includes a semiconductor substrate. The capacitor also includes a first terminal having a fin disposed on a surface of the semicon...

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Main Authors GU SHIQUN, ZHANG RON, CHUA EOAN LEW G
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 13.05.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:FinFET-호환가능 프로세스로 제조될 수 있는 커패시터들이 기재된다. 커패시터들은 기판 상에 형성되는 핀들(506, 508)을 포함하며, 여기서, 핀들은 커패시터 유전체 재료에 의해 서로 분리된다. 동일한 극성을 갖는 핀들은, 캡 접속부들(510, 512)에 의해 서로 접속된다. A capacitor includes a semiconductor substrate. The capacitor also includes a first terminal having a fin disposed on a surface of the semiconductor substrate. The capacitor further includes a dielectric layer disposed onto the fin. The capacitor still further includes a second terminal having a FinFET compatible high-K metal gate disposed proximate and adjacent to the fin.
Bibliography:Application Number: KR20157008565