SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: HIRANO NAOHIKO, YAMAUCHI SHOUICHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.05.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

탄화규소 반도체 기판은 탄화규소 단결정으로 구성되고, 적어도 표면에 결정 결함으로 구성된 식별 표시로서의 각인(2)이 형성되어 있다. 상기 탄화규소 반도체 기판을 종결정으로서 이용하여 탄화규소 단결정(3)을 성장시켰을 때에, 상기 탄화규소 단결정(3)에 결정 결함으로써 각인(2)이 전파되도록 할 수 있다. 상기 탄화규소 단결정(3)을 사용하여 탄화규소 반도체 기판(4)을 제작했을 때에, 각 탄화규소 반도체 기판(4)에는 이미 각인(2)이 형성된 상태로 할 수 있다. A silicon carbide semiconductor substrate is made of a silicon carbide single crystal and is formed with a stamp on at least a surface as an identification indication formed of a crystal defect. When a silicon carbide single crystal is allowed to grow using the silicon carbide semiconductor substrate as a seed crystal, the stamp can be propagated to the silicon carbide single crystal as a crystal defect. When silicon carbide semiconductor substrates are manufactured using the silicon carbide single crystal, the stamp has already been formed on each of the silicon carbide semiconductor substrates.