OPERATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY MODULE INCLUDING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

• Main Author: HWANG, JEONG TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.05.2015
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention relates to a semiconductor device capable of autonomously performing a repair operation, and a semiconductor memory module including the same. A method for manipulating a semiconductor memory device containing a fuse array for storing at least one repair address comprises the steps of: latching an additional repair address having an address value, which is not stored in a fuse array, in response to an active command in a repair operation mode; receiving a repair entry control code input, which is applied externally, in response to a first column command in a repair operation mode; determining whether or not to perform depending on a value of a repair entry control code and rupturing, to a fuse array, the repair address latched in a step of being latched in response to a second column command; and escaping from a repair operation mode in response to a precharge command which is applied after the second column command. 본 기술은 스스로 리페어 동작을 수행할 수 있는 반도체 메모리 장치 및 그를 포함하는 반도체 메모리 모듈에 관한 발명으로서, 적어도 하나 이상의 리페어 어드레스를 저장하기 위한 퓨즈 어레이를 포함하는 반도체 메모리 장치의 동작방법에 있어서, 리페어 동작 모드에서 액티브 커맨드에 응답하여 퓨즈 어레이에 저장되어 있지 않은 어드레스 값을 갖는 리페어 어드레스를 추가로 래치하는 단계와, 리페어 동작 모드에서 제1 컬럼 커맨드에 응답하여 외부에서 인가되는 리페어 진입 제어코드를 입력받는 단계와, 리페어 진입 제어코드의 값에 따라 그 수행여부가 결정되며, 제2 컬럼 커맨드에 응답하여 래치하는 단계에서 래치된 리페어 어드레스를 퓨즈 어레이에 럽쳐시키는 단계, 및 제2 컬럼 커맨드 이후 인가되는 프리차지 커맨드에 응답하여 리페어 동작 모드에서 탈출하는 단계를 포함한다.