CVD ALD - RUTHENIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR CVD AND ALD

루테늄-함유 전구체 및 CVD 및 ALD에서 이의 사용 방법을 개시한다. 개시된 전구체는 일반식 LRu(CO)(여기서, L은 2 이상의 치환기를 갖는 직쇄 또는 분지쇄 불포화 탄화수소 또는 고리형 불포화 탄화수소이고, m은 1 또는 2이다)를 갖는 금속 트리카르보닐 착화합물이다. Disclosed are ruthenium-containing precursors and methods of using the same in CVD and ALD....

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Main Author GATINEAU SATOKO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.05.2013
Subjects
CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
COATING METALLIC MATERIAL
DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Summary:루테늄-함유 전구체 및 CVD 및 ALD에서 이의 사용 방법을 개시한다. 개시된 전구체는 일반식 LRu(CO)(여기서, L은 2 이상의 치환기를 갖는 직쇄 또는 분지쇄 불포화 탄화수소 또는 고리형 불포화 탄화수소이고, m은 1 또는 2이다)를 갖는 금속 트리카르보닐 착화합물이다. Disclosed are ruthenium-containing precursors and methods of using the same in CVD and ALD.
Bibliography:Application Number: KR20127030047